碳化硅龙头或将破产，纳微半导体与英伟达官宣合作，氮化镓技术引关注

三六九 / 05月23日 08:23 发布

事件1：纳微半导体公司宣布与英伟达合作开发下一代800V高压直流(HVDC)架构，为包括Rubin Ultra在内的GPU提供支持的"Kyber"机架级系统供电。Navitas的氮化镓和碳化硅技术将在这一合作中发挥关键作用。有媒体指出，这代表了数据中心基础设施领域的重大技术飞跃，特别是在支撑吉瓦级AI计算负载方面，纳微的技术将一定程度上大幅提升能效并降低铜材使用量。受消息刺激，纳微盘后价格暴涨超220%。

事件2：特朗普政府削减美国《芯片法案》和汽车关税后，全球SIC龙头wolfspeed计划在未来数周内申请破产。盘后Wolfspeed市值跌去60%。据日本富士经济统计，2024年SIC衬底市场中，Wolfspeed市占率38.4%。Wolfspeed破产有望带来近40%供给缺口，SiC行业其余公司有望承接这部分缺口。并且相比6寸SiC市场，8寸SiC全球供给格局更好，天岳作为全球少有的能够量产8寸SiC的厂商，大幅受益。

纳微与英伟达合作下一代800V电力架构，机柜内、外电源架构确认

5月21日，纳微半导体公司宣布与英伟达合作开发下一代800V HVDC架构，为包括Rubin Ultra在内的GPU提供支持的''Kyber''机架级系统供电。同时，纳微半导体作为氮化镓（GaN）和碳化硅（SiC）技术的行业领导者，宣布推出最新的12kW电源单元GaN和SiC平台，实现超大规模AI数据中心97.8%的转换效率。

AI 数据中心高功率挑战，机柜外HVDC、机柜内12Kw PSU趋势确认。现代 AI 数据中心需吉瓦（GW）级电力以应对日益增长的 AI 计算负荷。目前数据中心架构采用传统 54V 机架内配电系统，其功率被限制在几百千瓦。当功率提升至 200 千瓦以上时，该架构会因功率密度、铜材需求及系统效率降低等问题而抵达物理极限。人工智能环境中，随着机架功率超过300 kW，800V HVDC拥有更高电压水平，铜线的厚度可以减少多达45%。同时，纳微的氮化镓和碳化硅技术也将在一定程度上大幅提升PSU功率密度（单个PSU功率提升至12kw），提高整体能效并降低铜材使用量，实现更高效、集中化的电力输送。

投资建议

超大规模AI数据中心供电架构机柜外HVDC、机柜内12kW PSU趋势明确，重点推荐相关标的：

1、AI服务器电源领先者【麦格米特】（同时具备提供800V HVDC能力）、【欧陆通】等；

2、HVDC国内链进展领先的【中恒电气】、【科华数据】，海外链重点标的/有望切入NV的【禾望电气】、【盛弘股份】、【通合科技】等。

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