拓荆科技深耕行业十余年，不断夯实技术储备，充分把握行业机遇，强化自主研发，形成了包括等离子体增强化学气相沉积（PECVD）设备、原子层沉积（ALD）设备和次常压化学气相沉积（SACVD）设备三个产品系列。   

在半导体薄膜沉积设备领域，拓荆科技积累了多项研发及产业化核心技术。截至2022年3月8日，拓荆科技累计获取授权专利174项，其中发明专利共计98项。同时，公司还先后承担了“90-65nm等离子体增强化学气相沉积设备研发与应用”“1x nm 3D NAND PECVD研发及产业化”等多项国家重大专项及课题。                                                                             　凭借深厚的技术积累和巨大的研发投入，拓荆科技持续创新，不断推出满足市场需求的新产品。在PECVD、ALD及SACVD设备领域，拓荆科技已形成覆盖20余种工艺型号的薄膜沉积设备，可满足下游客户晶圆制造产线多种薄膜沉积工艺需求。        

拓荆科技创始团队是以前后两任董事长为核心的多名国家级专家组建的一支国际化技术团队。公司成立数年来，拓荆科技始终立足核心技术研发，积极引进次人才、自主培养科研团队。