前面几节课，我们主要关注的是异质结技术，以及和这个技术相关的设备，这节课我们看一个相对冷门，但产业大佬都纷纷站台的技术，那就是TOPCON。

一、TOPCON

制备原理

在说这项技术之前，我们简单地看下TOPCON的示意图。TOPCON电池就是在PERC电池的背面，增设一层1～2nm的隧穿氧化层，也就是图5的部分，然后再沉积一层掺杂的多晶硅，也就是图7所示的部分，最终这两者形成名为钝化接触的结构，形成TOPCON电池。

因此为了在背面形成，上述的两层结构，就必须增加新的工序，以及设备。常规的TOPCON工艺，需要先对正面的扩散炉进行改造，变为硼扩散设备，然后电池背面的两层钝化接触结构，分别采用原位热氧和原位掺杂的方式在LPCVD（低压化学气相沉积）中沉积。因此从工序倒推设备，我们可以发现TOPCON主要是在PERC的基础上，增设LPCVD、退火炉和湿法刻蚀设备。

又因为TOPCON最大的意义是盘活现有的PERC产能，所以大部分的TOPCON产线都是在PERC的基础上增设设备完成，因此我们研究TOPCON设备，重点就是抓住那多出来的几台设备。

LPCVD

而在这些多出来的设备里，最为重要的便是LPCVD。

目前最主流的LPCVD，包含本征和掺杂（扩磷）两道工序，并且设备成熟，良率较高。但LPCVD也有着自身的问题，第一点是成膜速度过慢，远慢于竞品PECVD。第二点是LPCVD需要石英管沉积晶硅层，因此就会频繁报废石英管，导致耗材成本较高。第三点，LPCVD的沉膜区域无法控制，这就导致需要绕镀，增加额外的刻蚀（清洗），降低良率。

此外，根据金辰股份的公告，LPCVD的初始投资成本也更贵，加上硼扩散达到了7千万以上，而PECVD加硼后仅为5千万以上。

所以综合来看，PECVD未来潜力更大，但LPCVD目前工艺更为成熟，且下游已经过大规模的验证。我们这里简单地看下涉及LPCVD的企业，当然除了图中的几家以外，拉普拉斯最近中标了隆基的LPCVD的设备，所以也不容小视。

而在TOPCON的PECVD设备方面，大家可以关心下金辰股份的进展情况，金辰长期和晶澳、东方日升两家合作中试线，并且在今年的SNEC展会后，晶科也引入了金辰的管式PECVD技术用于研发TOPCon电池。

提效路径

而对于TOPCON这项技术而言，未来的发展方向无外乎，在成本改变不大的情况下，把转换效率做高。这一点在晶科最近公布的报告中有很详细的梳理，晶科把提效路径分为以下几条，例如金属栅线宽度的优化、硅片品质的提升等等，具体路径大家可以暂停下，看下这张图。

二、设备厂商总结

说到这里，我们TOPCON的部分也就说完了，细心的朋友可能已经发现这部分内容，比异质结的部分要少很多。实际上也是，相比于异质结是第三代技术，TOPCON可能被称为2.5代更为贴切，因为它更像是对现有PERC产能的一种改进，所以对于设备厂商而言，相应的机遇肯定没有异质结这么大。关于这三项技术更为细致的差别，我们会放在制作人之夜和大家分享。

最后我们总结一下四家设备厂商，说一说他们之间的区别，以及特色。当然我们的总结很多来自行业专家的电话会议，而并非公开渠道，所以难免会有些偏向性。我们这里说的四家公司，分别是迈为、理想、钧石、捷佳伟创。

迈为

我们首先说下行业龙头迈为，迈为应该是目前电池片设备厂商中，唯一具备打造行业生态能力的企业。所谓的行业生态，不仅局限于自身产业链的上下游，配套的设备、辅料、原料，甚至是运输企业。迈为除了四个环节的设备在发力，提供一揽子的解决方案，还能和上下游兼容的很友好。

捷佳

然后我们再说到捷佳，也具备整线能力，捷佳的特点是在于三个设备，第一个是我们前面提到比较多的管式PECVD，第二个是TOPCON里的三合一设备。

我们主要说第三个设备，和住友合作的RPD。用RPD设备镀膜，能在转换率上比磁控溅射的设备，也就是PVD，高出0.5个百分点。但缺陷就在于，这台设备只能单面镀膜，所以要两台设备才能完成双面，成本较高。但经过捷佳的改进，形成二合一设备，正面镀PVD，反面镀RPD，起到了中和成本的效果。

因此相比迈为在清洗、丝网印刷这两个头尾环节都有压倒性的优势，捷佳的看点就在中间两个环节的设备上。这些设备一旦验证成功，下游有订单流出，这对公司来说就是重大的利好。

钧石

说完了头两家公司，我们看下后面两家，我们先看钧石。钧石作为较早进入异质结行业的企业，一直专注于中间两个环节的核心设备。例如大腔室的PECVD，低银耗等技术，为后续的降本打开空间。但钧石的问题在于，没有大的资本加持，而在行业的爆发期，如果没有大量的资本作为弹药，很容易错过行情。

理想

最后一家，理想属于最四平八稳，一直按照自己节奏走，所以相比前三家公司有所逊色。

说完了四家设备厂商，光伏设备也就说的差不多了。

谢谢大家，今天你又相信光了吗。