由于优秀的物理特性，SiC 在 1000V 以上的中高电压范围具有高 压、高温、高频三大优势，是卫星通讯、高压输变电、轨道交通、 电动汽车、通讯基站等领域的核心材料。目前新能源车中的主驱 逆变器仍以 IGBT+Si FRD 方案为主，考虑到未来电动车需要更长 的行驶里程，更短的充电时间和更高的电池容量，SiC MOSFET 元件将是大势所趋。 

业内部分公司布局一览： 

1、【天岳先进】去年 SiC 衬底产量合计约 4.8 万片。半绝缘型衬 底份额世界前三，已实现进口替代。IPO 募资扩建导电型衬底， 达产后预计年产能 30 万片。多家车企参与 IPO 战配。掌握多项 自研核心技术，核心生产设备长晶炉的完全国产替代，规模优势显著，毛利率从 2018 年的 8.5%升至 40%，2021H1 扣非净利润超 过 2020 年全年。

 2、【三安光电】全球少数、国内唯一具备 SiC 全产业链生产能力 的公司。从上游的 SiC 衬底到下游的 SiC 器件全链条布局，目前 产品良率稳居国内前列，采用其衬底制作的芯片质量达到业内领 先水平。湖南项目年中点火，预计全部建成达产后，碳化硅功率 器件产能将从目前的 2.4 万片/年提升至 36 万片/年。

 3、【凤凰光学】将旗下光学资产剥离，收购国盛电子和普兴电子， 成为中电科旗下半导体外延材料平台。其中普兴电子在建项目规 划达到年产 36 万片 6 英寸 SiC 外延产品，国盛电子目前 4-8 英 寸各类型外延片月产能共计 40 万片，在建项目总投资 40 亿元， 一期将建成具有国际先进水平的 SiC 外延材料产业基地。

 4、【天科合达】在国内率先成功研制出 6 英寸 SiC 晶片，一期项 目 2020 年 8 月开工，目前已完成封顶，预计明年投产。

 5、【东莞天域】可生产 4 英寸、6 英寸碳化硅外延片，拥有国内 最多的碳化硅外延炉-CVD，月产能 5000 件。

 6、【瀚天天成】公司二期项目于年中封顶，拟建 6 英寸 SiC 外延片生产线，投产后预计年产值 30 亿元。

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