【市场信息】

在第三代半导体的商业化道路上，日本厂商又添了一把力。东芝近日官网宣布，第三代SiC MOSFET(碳化硅场效应管)计划在今年8月下旬开始量产。据了解，该新产品使用全新的器件结构，具有低导通电阻，且开关损耗与第二代产品相比降低了约20%。

【逻辑阐述】

1、受益下游行业高景气,产能利用率高，有望继续受益行业景气发展和国产化替代加深。

2、发行可转债布局车规级先进封测，有望受益新能源汽车市场快速成长。

3、在全球疫情反复之时，公司供应链安全保障优势也有望助推功率半导体国产化进程。

【投资建议】

鉴于功率市场高景气度，行业普遍性涨价潮已经开始。

【风险提示】

疫情、贸易战影响需求；业绩预测和估值判断可能不达预期。

【免责声明】

本咨询仅供参考，不作为投资决策依据。股市有风险，投资需谨慎。

投资顾问：

张宇哲 执业证号：A0210611020001

国    玮 执业证号：A0210619050001

宋    南 执业证号：A0210613050001      

王德智 执业证号：A0210611110001

孙慧凤 执业证号：A0210613050002      

张明明 执业证号：A0210616110004      

苏海鲲 执业证号：A0210614010001      

佟明雷 执业证号：A0210610120013

郑永良 执业证号：A0210611010001      

刘    淳 执业证号：A0210612070001

-本文内容至此-