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武汉新芯50纳米代码型闪存芯片量产

拙政江南   / 2020-06-05 15:15 发布

据湖北日报6月5日消息,6月4日,武汉新芯集成电路制造有限公司透露,其自主研发的50纳米浮栅式代码型闪存(SPINORFlash)芯片已全线量产。目前,在全球NORFlash存储芯片领域,业界通用技术为65纳米。武汉新芯新一代50纳米技术,已逼近此类芯片的物理极限,无论是存储单元面积还是存储密度,均达到国际先进水平。